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晶圆单片式清洗机
单片式清洗机是由几个清洗腔体组成，再通过机械手将每一片晶圆送至各个腔体中进行单独的喷淋式清洗，清洗效果较好，避免了交叉污染和前批次污染后批次，具有极高的工艺环境控制能力与微粒去除能力，有效解决晶圆之间交叉污染的问题。 可定制2/4/6/8/12/16腔室，单腔室处理速度可达到35片/小时，根据客户需求定制适用于8寸/12寸硅片清洗，内... MORE +
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自动晶圆化学镍钯金设备
* 设备型号：SCS-04-HD01
* 整机尺寸：约 9300mm(L)×2350mm(W)×2700mm(H)
* 操作台面高度：950±50mm
* 兼容12inch与8inch wafer
* 全自动运行，foupin-foupout
* dry in- dry out
* 不锈钢SUS316骨架，包覆NPP，结实且耐腐蚀
* 工控机+PLC控制，系统稳定
* Windows操作系统，简单方便
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全自动槽式清洗机
全自动槽式清洗机广泛应用于集成电路领域、先进封装领域里的清洗、刻蚀后、光刻胶去除等工艺。与传统的清洗设备相比自动化程度更高，可用于4寸、6寸、8寸、12寸硅片清洗。还可以选配兆声波系统、管路防静电等配置。设备可以提供在异常情况下对硅片的独特保护（SPS系统）。可提供多个槽体或单片进行化学药液或纯水，结合喷淋、溢流、... MORE +
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FHD沉积设备
FHD沉积系统设计为在最短的时间内在基底上沉积硅和在基底上沉积硅酸盐（二氧化硅），特别适用于光波导工艺的二氧化硅沉积，薄膜厚度达到25微米以上。
-技术优势
1.首款自主研发的FHD镀膜设备 ，TGV镀铜设备实现国外竞品完全对标 ，产品已进客户端量产。
2.FHD镀膜设备 ，TGV镀铜设备为切入口 ，布局半导体光量子集成芯片... MORE +
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TGV电镀机
wafer尺寸：6寸 8寸 12寸
板级最大尺寸 : 510*515
深宽比：1:1-15:1
衬底材料： 玻璃、石英
填充材料：Cu
玻璃厚度：200um-800um
最小通孔直径：10um
过孔间距/直径：2:1
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研发型晶圆电镀设备
设备名称：半自动/研发型晶圆电镀设备
设备系列：SP系列
设备分类：生产型（P），研发型（R）
工艺类别：晶圆电镀
晶圆尺寸：4-12inch
工艺类型：Au，Cu，Ni，Sn，Ag，Pd，Au/Sn alloy … 工艺应用：RDL，PillarBumpTSV
工艺操作：自动
晶圆类型：Si，GaAs，GaN，InP，SiC，Ceramic，Glass …
晶圆尺寸：2-12inch，异型片
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全自动晶圆电镀设备
设备名称：全自动晶圆电镀设备
设备系列：SP系列
设备分类：生产型（P），研发型（R）
工艺类别：晶圆电镀
晶圆尺寸：4-12inch
工艺类型：Au，Cu，Ni，Sn，Ag，Pd，Au/Sn alloy …
工艺应用：RDL，PillarBumpTSV
工艺操作：自动
晶圆类型：Si，GaAs，GaN，InP，SiC，Ceramic，Glass …
晶圆尺寸：2-12inch
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晶圆水平多腔电镀设备
晶圆尺寸:
150mm&200mm&300mm
设备配置:
-无或2个loadports
-8个或多个电镀腔体:Cu、Ni、Sn/Ag、Au
-电镀液种类:Cu、Ni、Sn/Ag、Au;
-具备预湿腔体和清洗功能;
-水平式电镀腔体，无交叉污染
-支持单腔体维护，提高设备正常运行时间
-橡胶密封技术，更佳密封性能
-阴... MORE +
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晶圆水平电镀设备
水平电镀技术，它是垂直电镀法技术发展的继续，技术的关键就是制造出相适应的、相互配套的水平电镀系统，能使高分散能力的镀液，在改进供电方式和其它辅助装置的配合下，显示出比垂直电镀法更为优异的功能作用。
（1）适应尺寸范围较宽，无需进行手工装挂，实现全部自动化作业
（2）在工艺审查中，无需留有装夹位置，增加实用面积，大大节约... MORE +
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一代FHD沉积设备
FHD镀膜设备 ，TGV镀铜设备为切入口 ，布局半导体光量子集成芯片和先进封装制程中合成石英和光纤设备及产品线，可替代进口设备 MORE +
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晶圆电镀实验机
专业桌面晶圆电镀测试，2/4寸，晶圆专用阳极，精密溢流镀槽，超精密电镀电源等 MORE +
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晶圆水平电镀实验机
水平电镀技术，它是垂直电镀法技术发展的继续，技术的关键就是制造出相适应的、相互配套的水平电镀系统，能使高分散能力的镀液，在改进供电方式和其它辅助装置的配合下，显示出比垂直电镀法更为优异的功能作用。
（1）适应尺寸范围较宽，无需进行手工装挂，实现全部自动化作业
（2）在工艺审查中，无需留有装夹位置，增加实用面积，大大节约... MORE +
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去胶清洗机
设备名称：槽式湿法去胶机
整机尺寸：约 5200mm（L）× 1900mm(W)×2200mm(H)；
操作台面高度：950±50mm；
适用产品：12inch晶圆（兼容8inch晶圆）；
操作系统：PLC 操作系统；
设备具有12英寸（兼容8英寸）晶圆上的光刻胶去除功能；
适用于12英寸和8英寸晶圆上的正性光刻胶、负性光刻胶去除工艺，并对晶圆上的相关金属... MORE +
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全自动水平式湿法刻蚀设备
全自动水平式湿法刻蚀设备，利用EFEM晶圆传输模块实现晶圆全自动工艺运行. MORE +
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全自动晶圆化学清洗设备
自动化半导体晶圆化学清洗设备SCS-Q012-150mm（50晶圆）是实现混合物(SPM) -HF溶液-过氧化物-氨水溶液(APM) -过氧化物-盐溶液（HPM）交替加工的工艺过程，在化学试剂中对直径为150mm的半导体晶圆进行清洗。 MORE +
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