晶圆水平多腔电镀设备
设备名称:水平电镀设备-Cu、Ni、Au、SnAg
设备型号:SCS-SD200
垂直/水平:水平(杯镀)
单面/双面镀:单面
晶圆尺寸:晶圆(8/寸)
适配工艺:RDL、TSV、Bump
技术标准:TSV最大深宽比:10:1,RDL最小线宽线距:5μm*5μm
前后处理(按需):真空、润湿、清洗、干燥
均匀度:1、镀层厚度均匀性≤4%;2、30μm孔径,孔深200μm-250μmTSV无缺陷填充,面铜厚度均匀性≤5% μm
夹具压力:配置独立夹片压力调整功能防止碎片,适应片厚200μm-1200μm
SRD腔:具有晶圆水平放置状态监测,腔体配置对射传感器检测,通过软件控制旋转90°做整平面检测,上方配有超声波传感器检测晶圆是否有破损
设备型号:SCS-SD200
垂直/水平:水平(杯镀)
单面/双面镀:单面
晶圆尺寸:晶圆(8/寸)
适配工艺:RDL、TSV、Bump
技术标准:TSV最大深宽比:10:1,RDL最小线宽线距:5μm*5μm
前后处理(按需):真空、润湿、清洗、干燥
均匀度:1、镀层厚度均匀性≤4%;2、30μm孔径,孔深200μm-250μmTSV无缺陷填充,面铜厚度均匀性≤5% μm
夹具压力:配置独立夹片压力调整功能防止碎片,适应片厚200μm-1200μm
SRD腔:具有晶圆水平放置状态监测,腔体配置对射传感器检测,通过软件控制旋转90°做整平面检测,上方配有超声波传感器检测晶圆是否有破损
产品特点
水平电镀、精细的电场控制、模块化设计以及先进的搅拌技术,在实现高均匀性电镀的同时,保证高产能、低污染和高灵活性。
应用领域
Pillar,Bump,RDL,TSV等工艺
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